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中国科技行业 光学:硅光技术处于拐点

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汇丰前海证券研究部A股科技硬件行业研究主管何方认为,硅光技术有望加速渗透至1.6T光模块领域。

硅光技术正在改变光模块的组成结构。光模块主要用于实现光电信号间的转换,以及数据中心服务器、交换机和存储设备间光电信号的发射和接收。光模块需通过集成化设计来满足功率、成本和带宽要求。硅光技术利用当下主流的CMOS工艺将光子元件集成到同一芯片中,该技术广泛用于硅基芯片制造。

硅光模块结构示意图

硅光模块主要由光子集成电路(PIC)、电子集成电路(EIC)及其他元器件组成。PIC主要由波导、调制解调器、光栅、耦合器和光电二极管检测器(PD)等器件组成(有时还包括激光器等)。EIC主要由驱动器、跨阻放大器(TiA)和微控制器(MCU)等元器件组成。硅光模块将有无源光子元件集成到同一芯片中,这有助于降低功耗并产生更小形状因子。

光模块和硅光模块主要元器件比较

硅光技术有望加速渗透至1.6T光模块领域。近期硅光模块在800G和1.6T产品中的渗透率呈明显上升趋势,且硅光已成为主要网络公司新一代产品(如共封装光学和封装内光学)的重点展示内容,其原因在于硅光的高度集成结构能够满足更低功耗、更低成本和更高带宽密度要求,是未来实现数据中心互连的适用方案。我们认为硅光在1.6T及更高速率光模块领域的优势将更加凸显。

硅光供应链分析。我们分析并比较了传统分立式模块和硅光模块的组成结构及成本,发现供应链格局正在发生变化:(1)代工厂凭借成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)生产工艺、工艺设计套件(PDK)和设计IP库逐渐成为生产硅光芯片的关键主体;(2)相较电吸收调制(EML)激光器,硅光模块采用结构更加简单且成本更低的高功率连续波(CW)激光器;(3)封装工艺及设备方面,硅光模块需将光纤阵列与高度集成的硅光芯片相连,因此精密耦合器的需求日益旺盛。

代工厂是硅光芯片规模扩张的关键角色。代工厂拥有较为成熟的CMOS工艺、强劲的先进芯片制造研发能力、知识产权(IP)储备库、EDA工具和先进封测能力。这些优势能够让第三方硅光设计公司更关注模块和系统级优化,并在改进硅光晶粒集成方面提供专业经验。每个代工厂均具备其自有工艺设计工具包(PDK)和设计IP储备库,设计/系统客户能够基于代工厂提供的上述工具开发其自有硅光芯片。

硅光芯片封装的发展与硅芯片类似。电子芯片和光电芯片的集成主要有四种方式,即单片集成、2D封装、3D封装和2.5D封装,这些方式均基于先进封装技术,例如硅通孔(TSV)和倒装芯片(flip-chip)。这些技术与硅芯片的先进封装高度相似,因此代工厂和封测代工厂(OSAT)在EIC和PIC的集成领域扮演着关键角色。

减少封装方案中的激光源是节约物料成本的关键。对于硅光模块中采用的分布式反馈激光器(DFB)激光源,其最重要的要求是光输出功率。功率越高,所需激光芯片的数量越少,因此能够节约成本。行业正在开发更高功率的连续波激光芯片,我们认为更高功率的连续波激光芯片能够实现单驱动方案,进入量产后有望进一步节约物料成本。